号hy hy8015 hy8015t 输 出 容 量 15kva 电 路 方 式 igbt/pwm脉冲宽度调制方式 调 节 方 式 按键式快速调节电压、频率 交 流 输 入 单相220v 或3相380v/50hz,60hz 交 流

IV3Q12013T4Z- Gen3 1200V 13.5mΩ Automotive SiC MOSFET Features 3 rd Generation SiC MOSFET Technology with +15~+18V gate drive H

IV3Q12013T4Z- Gen3 1200V 13.5mΩ Automotive SiC MOSFET Features 3rd Generation SiC MOSFET Technology with +15~+18V gate dri

IV2Q12080T4Z – 1200V 80mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET Features 2nd Generation SiC MOSFET Technology with +15V~+18V gate dri

IV2Q12017T4Z – 1200V 17mΩ Gen2 Automotive SiC MOSFET Features 2nd Generation SiC MOSFET Technology with +18V gate drive

IV1Q12080T4Z – 1200V 80mΩ 车规级 SiC MOSFET 特点 高压、低导通电阻 高速、寄生电容小 高工作结温 快速恢复体二极管 开尔文连接驱动 AEC-Q101 认证通过 应用 车载充

该射频电源采用3U半机箱设计，整机功率密度高。支持连续波、脉冲、多级脉冲的工作模式。可自定义配置脉冲信号，响应速度快，信号质量高。 应用特征 该电源主要应用对象包括：刻蚀、ICP、PECVD。

高功率电源是新一代射频电源发生器，单台输出功率可达30kw。产品广泛应用于lcd、光伏等行业。典型应用包括溅射、pecvd和表面处理 产品特征： 输出功率高， 搭配12寸工业触控屏，方便控制于显示；自主研发的高功率电源匹配器，能实现快速匹配；具

是一种用于产生等离子体的装置，通常被用于在真空环境中进行表面处理、材料改性、薄膜沉积等工艺，以及半导体刻蚀和薄膜设备的预处理反应和清洗等。与传统等离子体源不同的是，rps通常不直接接触要处理的表面，而是在一定距离之外产生等离子体，并将等离子体输送到目标表面，

产品性能： 该匹配器能够提供快速、准确的阻抗变换。可变电容由电机驱动，电机通过计算主板控制。 采用高速的匹配算法，可调的转速，即使是高Q值的系统也能达到准确的匹配效果。 通过调整内部继电器,调节不同档位,达到匹配。 应用对象： 该双频匹配器主要应用